Технология производства наногетероструктурных устройств фотоники

Описание программы

Программа направлена на формирование представлений о современных технологиях наногетероструктурных приборов и устройств фотоники, внедряемых в промышленность в настоящее время. Программа может быть использована для подготовки специалистов наноиндустрии, относящихся к категории инженер-технолог, к сдаче профессионального экзамена и подтверждения уровня квалификации на соответствие требованиям профессионального стандарта «Специалист по разработке технологии производства приборов квантовой электроники и фотоники». 

Рекомендуемая подготовка слушателей:

• наличие высшего технического образования в области электроники и фотоники;
• опыт практической работы в должности инженера-технолога;
• свободное владение ПК и Интернет-технологиями.

Программа курса:

Тема 1. Элементы наногетероструктурных устройств фотоники
Квантовое ограничение. Квантово-размерные структуры. Гетерострутктуры. Сверхрешетки. 

Тема 2. Технология получения наногетероструктур методами эпитаксии
Методы эпитаксии для производства гетероструктур, применяемых в фотонике. Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений. Молекулярно-лучевая эпитаксия. Механизмы эпитаксиального роста тонких пленок. Возможности методов МЛЭ и ГФЭ МОС.

Тема 3. Субмикронная литография
Субмикронная проекционная литография. Лазерная литография. Электронная литография.

Тема 4. Ионное легирование полупроводников
Технология ионного легирования. Распределение внедренной примеси по глубине. Легирующие свойства имплантированной примеси в арсениде галлия. Создание изолирующих областей.

Тема 5. Методы осаждения в производстве наногетероструктурных устройств фотоники
Осаждение металлов и диэлектриков. Термическое испарение в вакууме. Способы испарения. Ионно-плазменные методы осаждения пленок. Получение пленок ионно-плазменным распылением. Стимулированное плазмой осаждение тонких слоев диоксида кремния. Плазмохимическое осаждение нитрида кремния. Стимулированное плазмой осаждение металлов.

Тема 6. Методы травления микро- и наноструктур
Классификация методов травления. Жидкостное химическое травление. Ионное травление. Выбор и обработка маскирующих материалов при ионном травлении. Применение процессов травления в технологии.

Тема 7. Методы измерения и тестирование параметров наногетероструктур
Измерение основных параметров в процессе эпитаксии (in-situ). Контроль качества поверхности подложки и растущей эпитаксиальной пленки методом дифракция медленных электронов. Метод отражательной интерферометрии. Эллипсометрические методы. Рентгеновская рефлектометрия.

Измерение параметров структур при завершении процесса эпитаксии. Методы измерения толщины по размеру эпитаксиального дефекта упаковки. Метод ИК – спектроскопии Измерение удельного сопротивления эпитаксиальных слоев методом сопротивления растекания точечного контакта Трехзондовый метод, основанный на измерении напряжения пробоя точечного контакта металл-полупроводник Измерение концентрации примеси методом вольт-фарадных характеристик Измерение профиля распределения примеси в слоях методом масс-спектрометрии вторичных ионов

Тема 8. Приборы и устройства фотоники и их применение

ИК-фотодиоды на основе гетероструктур. Лавинные фотодиоды. Оптические модуляторы. Светодиоды и лазеры на основе гетероструктур и квантовых точек. Квантовые каскадные лазеры.

После окончания курса вы будете знать:

• основные элементы гетероструктурных устройств фотоники;основные направления развития программируемых матриц;
• физико-химические основы современных технологических процессов, используемых при производстве приборов и устройств наногетероструктурной фотоники;
• базовые маршруты изготовления элементов наногетероструктурных приборов фотоники;
• принципы организации базовых технологических процессов создания компонентов и приборов квантовой электроники и фотоники на основе наноструктурных материалов
• конструкцию основных приборов и устройств фотоники и их применение.

После окончания курса вы будете уметь:

• производить выбор оптимальных материалов для элементов наногетроструктурых приборов и устройств фотоники;
• рассчитывать основные параметры материалов для элементов наногетроструктурых приборов и устройств фотоники
• разрабатывать технологические маршруты изготовления приборов и устройств фотоники;
• выбирать оптимальные параметры технологических процессов производства приборов квантовой электроники и фотоники на основе наноструктурных материалов;
• оценивать возможности запуска производства новых приборов оптоэлектроники и фотоники на основе разработанной технологии и технологической базы;

После окончания курса вы будете владеть:

• навыками выбора базовых вариантов технологии производства приборов квантовой электроники и фотоники с учетом доступности и целесообразности их реализации в условиях организации;
• навыками реализации современных способов нанесения, удаления и модифицирования материалов при создании элементной базы фотоники;
• навыками расчета элементов наногетероструктурных устройств фотоники;
• основными методиками измерения и тестирования параметров наногетероструктур.

Продолжительность обучения:

• учебная программа: 72 ак.часа.

Форма обучения:

• очно-заочная;
• заочная с применением дистанционных образовательных технологий.

Выдаваемые документы:

• удостоверение о повышении квалификации ведущего государственного технического вуза.