Современные технологии кремниевой фотоники

Описание программы

Программа направлена на формирование представлений о современных технологиях интегральной фотоники, внедряемых в промышленность в настоящее время. Слушатели освоят технологические процессы, которые составляют основу современного производства кремниевых фотонных интегральных схем: субмикронная литография, эпитаксия, ионное легирование, ионное и плазмохимическое травление наноструктур, плазмохимическое осаждение металлов и диэлектриков. Овладеют навыками выбора оптимальных параметров технологических процессов производства приборов квантовой электроники и фотоники на основе наноструктурных материалов, навыками разработки и оптимизации технологических процессов изготовления компонентов фотонных интегральных схем с учетом доступности и целесообразности их реализации в условиях организации. Изучение технологии создания компонентов фотонных интегральных схем рассмотрено с учетом технологичности и экономической эффективности технологических процессов.

Программа рекомендована Центром Квантовых Технологий физического факультета МГУ для подготовки специалистов в области квантовых технологий. Также программа может быть использована для подготовки специалистов наноиндустрии, относящихся к категории инженер-технолог, к сдаче профессионального экзамена и подтверждения уровня квалификации на соответствие требованиям профессионального стандарта «Специалист по разработке технологии производства приборов квантовой электроники и фотоники».

Рекомендуемая подготовка слушателей:

• наличие высшего технического образования в области электроники и фотоники,
• опыт практической работы в должности инженера-технолога,
• свободное владение ПК и Интернетом.

Программа курса:

1. Компоненты и технологии фотонных интегральных схем
2. Технология получения наногетероструктур методами эпитаксии
3. Субмикронная литография
4. Ионное легирование полупроводников
5. Методы осаждения в кремниевой фотонике
6. Методы травления микро- и наноструктур
7. Технологические маршруты изготовления гибридных ФИС
8. Итоговая аттестация

После окончания курса вы будете знать:

• физико-химические основы современных технологических процессов, используемых при производстве фотонных интегральных;
• базовые маршруты изготовления фотонных интегральных схем;
• принципы организации базовых технологических процессов создания компонентов и приборов квантовой электроники и фотоники на основе наноструктурных материалов.

После окончания курса вы будете уметь:

• разрабатывать технологические маршруты изготовления фотонных интегральных схем;
• выбирать оптимальные параметры технологических процессов производства приборов квантовой электроники и фотоники на основе наноструктурных материалов;
• Оценивать возможности запуска производства новых приборов оптоэлектроники и фотоники на основе разработанной технологии и технологической базы.

После окончания курса вы будете иметь практический опыт:

• навыками выбора базовых вариантов технологии производства приборов квантовой электроники и фотоники с учетом доступности и целесообразности их реализации в условиях организации;
• навыками разработки базовых технологических процессов изготовления компонентов фотонных интегральных схем;
• навыками реализации современных способов нанесения, удаления и модифицирования материалов при создании элементной базы фотоники.

Продолжительность обучения:

• учебная программа: 72 часа.

Организация обучения:

• Форма обучения: заочная с применением дистанционных образовательных технологий;
• Формат обучения: вебинары. 

Выдаваемые документы:

• удостоверение о повышении квалификации ведущего государственного технического вуза.